Η Samsung κατασκεύασε τη πρώτη μνήμη 1TB για smartphones

Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης ανακοίνωσε την μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους ενός terabyte, ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 της βιομηχανίας για χρήση στις εφαρμογές κινητών επόμενης γενιάς. Μόλις τέσσερα χρόνια μετά την ανακοίνωση της πρώτης UFS λύσης, του 128GB eUFS, η Samsung ξεπέρασε το πολύ-αναμενόμενο όριο του ενός terabyte στον αποθηκευτικό χώρο του smartphone. Οι λάτρεις των smartphone θα έχουν σύντομα τη δυνατότητα να απολαμβάνουν χωρητικότητα αποθήκευσης συγκρίσιμη με εκείνη ενός premium notebook PC, χωρίς να χρειάζεται να προσθέσουν επιπλέον κάρτες μνήμης στα κινητά τους τηλέφωνα.

«Το 1TB eUFS αναμένεται να διαδραματίσει έναν σημαντικό ρόλο στη δημιουργία αναβαθμισμένης εμπειρίας χρήσης στις κινητές συσκευές επόμενης γενιάς, παρόμοια με εκείνη του notebook» δήλωσε ο Cheol Choi, Executive Vice President του Memory Sales & Marketing στην Samsung Electronics. «Ακόμα, η Samsung δεσμεύεται να εξασφαλίσει την πιο αξιόπιστη αλυσίδα εφοδιασμού και επαρκείς ποσότητες στην παραγωγή, για να υποστηρίξει τις κυκλοφορίες των επερχόμενων ναυαρχίδων smartphone συσκευών, με στόχο την επιτάχυνση της ανάπτυξης στην παγκόσμια αγορά κινητής τηλεφωνίας.»

Διατηρώντας το ίδιο μέγεθος συσκευασίας (11.5χιλ x 13.0χιλ), η λύση του 1TB eUFS διπλασιάζει τη χωρητικότητα της προηγούμενης έκδοσης των 512GB, συνδυάζοντας 16 στοιβάδες της πιο προηγμένης V-NAND flash μνήμης 512GB και ένα νέο-αναπτυχθέντα ιδιόκτητο ελεγκτή μνήμης. Οι χρήστες smartphone θα μπορούν να αποθηκεύσουν 260 δεκάλεπτα videos σε ανάλυση 4K UHD (3840Χ2160), ενώ ο συνήθης 64GB eUFS, που επιδεικνύουν τα περισσότερα σύγχρονα smartphones, δύναται να αποθηκεύσει 13 videos του ιδίου μεγέθους.

Το 1ΤΒ eUFS έχει εξαιρετική ταχύτητα, επιτρέποντας στους χρήστες να μεταφέρουν περιεχόμενο πολυμέσων, μεγάλου μεγέθους, σε σημαντικά μειωμένο χρόνο. Με ταχύτητες που φτάνουν τα 1.000 megabytes ανά δευτερόλεπτο (MB/s), το νέο eUFS διαθέτει περίπου διπλάσια διαδοχική ταχύτητα ανάγνωσης από μια τυπική μονάδα 2.5 ιντσών SSD SATA. Αυτό σημαίνει πως full HD videos μεγέθους 5GB μπορούν να «κατέβουν» σε μια NVMe SSD σε μόλις πέντε δευτερόλεπτα, δηλαδή 10 φορές πιο γρήγορα από μια τυπική microSD κάρτα. Επιπλέον, η ταχύτητα τυχαίας ανάγνωσης έχει αυξηθεί κατά 38% συγκριτικά με την έκδοση 512GB, φτάνοντας τα 58.000 IOPS. Οι τυχαίες εγγραφές είναι 500 φορές πιο γρήγορες από μια microSD κάρτα υψηλής απόδοσης (100 ΙOPS), αγγίζοντας τα 50.000 IOPS. Οι τυχαίες ταχύτητες επιτρέπουν συνεχείς λήψεις υψηλής ταχύτητας στα 960 καρέ το δευτερόλεπτο και δίνουν την ευκαιρία στους χρήστες smartphone να αξιοποιήσουν στο έπακρο τις δυνατότητες πολλαπλής κάμερας στις σύγχρονες συσκευές και στις ναυαρχίδες επόμενης γενιάς.

Η Samsung σχεδιάζει, για το πρώτο εξάμηνο του 2019, την επέκταση της παραγωγής του V-NAND 512GB επόμενης γενιάς στο εργοστάσιό της στην Κορέα, ώστε να διαχειριστεί την υψηλή ζήτηση του πολυαναμενόμενου 1TB eUFS από κατασκευαστές κινητών συσκευών διεθνώς.

Συγκριτικός πίνακας απόδοσης εσωτερικής μνήμης