Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε πως ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή της πρώτης 16-gigabyte (GB) LPDDR5 mobile DRAM για premium smartphones επόμενης γενιάς. Η νέα μνήμη, που ακολουθεί τη μαζική παραγωγή της πρωτοποριακής 12GB LPDDR5 Mobile DRAM τον Ιούλιο του 2019, θα ηγηθεί της παγκόσμιας αγοράς μνήμης με επιπρόσθετη χωρητικότητα που επιτρέπει προηγμένες 5G και ΑΙ λειτουργίες, όπως gaming με πλούσια γραφικά και έξυπνη φωτογραφία.
«Για τη Samsung αποτελεί δέσμευση η καινοτόμος ανάπτυξη των τεχνολογιών μνήμης για να επιτρέψει στους καταναλωτές να απολαύσουν εκπληκτικές εμπειρίες από τις κινητές συσκευές τους. Είμαστε ενθουσιασμένοι που παραμένουμε πιστοί σε αυτή τη δέσμευση με τη νέα, κορυφαία λύση για κατασκευαστές κινητών συσκευών διεθνώς», δήλωσε ο Cheol Choi, Senior Vice President του Memory Sales & Marketing, Samsung Electronics. «Με την ανακοίνωση της νέας σειράς προϊόντων που βασίζεται στη νέα τεχνολογία διεργασίας επόμενης γενιάς, αργότερα μέσα στο έτος, η Samsung θα μπορεί να ανταποκριθεί πλήρως στις μελλοντικές απαιτήσεις των συνεργατών της».
Η ταχύτητα δεδομένων της 16GB LPDDR5 αγγίζει τα 5.500 megabits ανά δευτερόλεπτο (Mb/s), σχεδόν 1.3 φορές ταχύτερη από την προηγούμενη μνήμη κινητών συσκευών (LPDDR4X, 4266Mb/s). Σε σύγκριση με την 8GB LPDDR4X, η νέα mobile DRAM εξασφαλίζει περισσότερο από 20% εξοικονόμηση ενέργειας και σχεδόν διπλάσια χωρητικότητα.
Η 16GB LPDDR5 mobile DRAM της Samsung αποτελείται από οκτώ chips των 12-gigabit (Gb) και τέσσερα chips των 8Gb, εξοπλίζοντας τα premium smartphones με διπλάσια χωρητικότητα όπως των περισσότερων σύγχρονων laptops και gaming PCs. Σε συνδυασμό με την αστραπιαία απόδοση, η μνήμη υποστηρίζει δυναμικό και responsive gaming, καθώς και εξαιρετικά γραφικά υψηλής ανάλυσης σε premium smartphones για απίθανη εμπειρία mobile gaming.
Καθώς η Samsung εξακολουθεί να διευρύνει την παραγωγή LPDDR5 mobile DRAM στις εγκαταστάσεις της στην Κορέα, η εταιρεία σχεδιάζει τη μαζική παραγωγή 16Gb LPDDR5 προϊόντων, βάσει της διεργασίας 10 νανομέτρων (1z) τρίτης γενιάς κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους, παράλληλα με την ανάπτυξη ενός 6.400Mb/s chipset. Με αυτή την καινοτομία η Samsung θα εδραιώσει περαιτέρω τη θέση και το ανταγωνιστικό της πλεονέκτημα στις κατηγορίες των premium κινητών συσκευών, PC υψηλών προδιαγραφών και εφαρμογών αυτοκίνησης.
Χρονοδιάγραμμα παραγωγής και μαζικής παραγωγής Samsung Mobile DRAM
| Ημερομηνία | Χωρητικότητα | Mobile DRAM |
| Δεκ. 2019 | 16GB | 10nm-class 12Gb+8Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| Σεπτ. 2019 | 12GB
(uMCP) |
10nm-class 24Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Ιούλιος 2019 | 12GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| Ιούνιος 2019 | 6GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| Φεβ. 2019 | 12GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Ιούλιος 2018 | 8GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Απρίλιος 2018 | 8GB (ανάπτυξη) | 10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
| Σεπτ. 2016 | 8GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Αύγ. 2015 | 6GB | 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
| Δεκ. 2014 | 4GB | 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
| Σεπτ. 2014 | 3GB | 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Νοέμβ. 2013 | 3GB | 20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Ιούλιος 2013 | 3GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Απρίλιος 2013 | 2GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Αύγ. 2012 | 2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
| 2011 | 1/2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
| 2010 | 512MB | 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s |
| 2009 | 256MB | 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s |